MMBTA05LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 100

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637255

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.031

Base Product Number

MMBTA05 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

225mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

60 V dc

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

225 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

2.64mm

Maximum DC Collector Current

500 mA

Height

1.11mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 2.64 x 1.11mm

Maximum Emitter Base Voltage

4 V

Minimum DC Current Gain

100

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

4 V

Непрерывный коллекторный ток

0.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMBTA05L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.2 V dc

Техническая документация

Datasheet , pdf , 96 КБ
Datasheet , pdf , 160 КБ

MMBTA05LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация