SI2312BDS-T1-E3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 18 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 20V; Current, Id Cont: 3.9A; Resistance, Rds On: 0.047ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 4.5V; Voltage, Vgs th Typ: 0.85V; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD; Base Number: 2312; Current, Idm Pulse: 15A; Marking, SMD: M2; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 0.75mW; Voltage, Vds Max: 20V; Voltage, Vgs th Max: 0.85V; Voltage, Vgs th Min: 0.45V
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 31 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637233

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.04

Ширина

1.6 mm

Высота

1.45 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Id - непрерывный ток утечки

5 A

Pd - рассеивание мощности

1.25 W

Qg - заряд затвора

12 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

31 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

450 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

30 ns

Время спада

10 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

SI2312BDS-E3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

30 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

35 ns

Типичное время задержки при включении

9 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

SOT-23-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.9A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

750mW

Rds On - Drain-Source Resistance

31mО© @ 5A,4.5V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

850mV @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

3.9

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

31@4.5V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±8

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

1250

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

NRND

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT-23

Supplier Package

SOT-23

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

7.5@4.5V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.02(Max)

Package Length

3.04(Max)

Package Width

1.4(Max)

Process Technology

TrenchFET

Техническая документация

Datasheet , pdf , 219 КБ
Datasheet SI2312BDS-T1-E3 , pdf , 214 КБ
Datasheet SI2312BDS-T1-E3 , pdf , 218 КБ

SI2312BDS-T1-E3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 18 руб.

Техническая документация