BCV27, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637232

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.033

Base Product Number

BCV27 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

1.2A

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

220MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

350mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

NPN - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100ВµA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.93мм

Длина

2.92мм

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

4000

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1.2 A

Максимальный ток отсечки коллектора

0.1 uA

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

40 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

10 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BCV27

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-23

Ширина

1.3мм

Другие названия товара №

BCV27_NL

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

4000

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,2 А

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Техническая документация

BCV27 , pdf , 222 КБ
Datasheet BCV27 , pdf , 317 КБ
Datasheet , pdf , 316 КБ

BCV27 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация