SI2333DS-T1-E3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO236, АБ

MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -5.3A; Resistance, Rds On: 0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -1V; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD
Корпус TO236, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 32 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637192

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.02

Ширина

1.6 mm

Высота

1.45 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Id - непрерывный ток утечки

5.3 A

Pd - рассеивание мощности

1.25 W

Qg - заряд затвора

18 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

32 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

12 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

400 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

45 ns

Время спада

60 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

SI2333DS-T1

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

17 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

72 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

SOT-23-3

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

4.1

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

32@4.5V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±8

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

1250

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

NRND

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1100@6V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

11.5@4.5V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.02(Max)

Package Length

3.04(Max)

Package Width

1.4(Max)

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

Typical Gate Plateau Voltage (V)

1.4

Typical Diode Forward Voltage (V)

0.7

Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)

1.25

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.2

Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)

5.3

Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)

166

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Typical Gate to Drain Charge (nC)

3.2

Typical Gate to Source Charge (nC)

1.5

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

300@6V

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

0.4

Typical Output Capacitance (pF)

390

Техническая документация

Datasheet SI2333DS-T1-E3 , pdf , 190 КБ
Datasheet SI2333DS-T1-E3 , pdf , 161 КБ
Datasheet SI2333DS-T1-E3 , pdf , 196 КБ

SI2333DS-T1-E3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация