ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MUN2111T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MUN2111T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MUN2111T1G
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
Цифровые PNP-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1637179
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.035
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Package Type
SOT-346 (SC-59)
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum DC Collector Current
100mA
Height
1.09мм
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.09mm
Minimum DC Current Gain
35@5mA@10V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
230mW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.09мм
Pd - рассеивание мощности
230 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.09мм
Длина
2.9мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
35, 60
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MUN2111
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-59-3
Ширина
1.5мм
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
35
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Количество элементов на ИС
1
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.95
Type
PNP
Configuration
Single
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.3mA@10mA
Maximum Power Dissipation (mW)
338
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SC
Supplier Package
SC-59
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.09
Package Length
2.9
Package Width
1.5
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Maximum Continuous Collector Current
100 мА
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
35
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Typical Input Resistor
10 кΩ
Типичный входной резистор
10 кΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Typical Resistor Ratio
1
Типичный коэффициент резистора
1
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)
100
Typical Input Resistor (kOhm)
10
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 180 КБ
Datasheet , pdf
, 372 КБ
Datasheet MUN2111T1G , pdf
, 358 КБ
