ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HGTG30N60A4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
HGTG30N60A4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
HGTG30N60A4
Последняя цена
400 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Корпус TO-247-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1637172
Технические параметры
Производитель
ON Semiconductor
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Base Product Number
HGTG30N60 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247-3
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
15.87мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.82мм
Число контактов
3
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
75A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240A
Gate Charge
225nC
Power - Max
463W
Switching Energy
280ВµJ (on), 240ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
25ns/150ns
Test Condition
390V, 30A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.82мм
Конфигурация
Single
Вес, г
6.915
Pd - рассеивание мощности
463 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
75 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
75 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
450
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
+/- 250 nA
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
HGTG30N60A4_NL
Серия
HGTG30N60A4
Технология
Si
Непрерывный коллекторный ток
75 A
Техническая документация
HGTG30N60A4 datasheet , pdf
, 198 КБ
HGTG30N60A4 datasheet , pdf
, 198 КБ
Datasheet HGTG30N60A4 , pdf
, 390 КБ
Datasheet HGTG30N60A4 , pdf
, 374 КБ
Datasheet , pdf
, 373 КБ