MJE13007G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 61 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 5, Коэффициент усиления по току, max 30

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637119

Технические параметры

Вес, г

2.841

Base Product Number

MJE13007 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 5A, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

14MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

80W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

400V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Number of Elements per Chip

Length

10.28mm

Maximum Collector Base Voltage

700 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

400 V

Package Type

TO-220AB

Maximum Power Dissipation

80 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

4.82mm

Maximum DC Collector Current

8 A

Height

15.75mm

Pin Count

Dimensions

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Maximum Emitter Base Voltage

9 V

Minimum DC Current Gain

Series

SWITCHMODEв„ў ->

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Техническая документация

MJE13007-D , pdf , 124 КБ
Datasheet MJE13007G , pdf , 278 КБ

MJE13007G - характеристики, поставщики

Последняя цена 61 руб.

Техническая документация