MBT3904DW1T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT363, АБ

Корпус SOT-323-6, Тип проводимости и конфигурация 2 NPN, Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 200 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637108

Технические параметры

Вес, г

0.029

Transistor Type

2 NPNпј€Doubleпј‰

Number of Elements per Chip

Maximum DC Collector Current

200mA

Pin Count

Minimum DC Current Gain

100@1mA@10V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Pd - Power Dissipation

150mW

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Configuration

Dual

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.95@5mA@50mA|0.85@1mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3@5mA@50mA|0.2@1mA@10mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.2

Maximum Power Dissipation (mW)

150000

Maximum Transition Frequency (MHz)

300(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-363

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.9

Package Length

Package Width

1.25

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Техническая документация

Datasheet , pdf , 97 КБ
mbt3904dw Datasheet , pdf , 108 КБ

MBT3904DW1T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация