MJD122T4G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 32 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация NPN Darl., Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 1000, Коэффициент усиления по току, max 12

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637090

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.46

Transistor Type

NPN - Darlington

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

Pin Count

Minimum DC Current Gain

100@8A@4V|1000@4A@4V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Pd - Power Dissipation

1.75W

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Pd - рассеивание мощности

20 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100, 1000

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

8 A

Максимальный ток отсечки коллектора

10 uA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

8 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

MJD122

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

TO-252-3 (DPAK)

Ширина

6.22мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Количество элементов на ИС

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

100

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-65 to 150

Maximum Base Current (A)

0.12

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

4.5@80mA@8A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

2@16mA@4A|4@80mA@8A

Maximum Power Dissipation (mW)

1750

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

TO-252

Supplier Package

DPAK

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

2.38(Max)

Package Length

6.73(Max)

Package Width

6.22(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (uA)

Typical Current Gain Bandwidth (MHz)

4(Min)

Minimum DC Current Gain Range

<500|500 to 3600

Maximum DC Current Gain

12000@4A@4V

Typical Transition Frequency (MHz)

4(Min)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 104 КБ
Datasheet , pdf , 108 КБ
Datasheet MJD122T4G , pdf , 210 КБ

MJD122T4G - характеристики, поставщики

Последняя цена 32 руб.

Техническая документация