MMBTA92LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

RF Bipolar Transistor; Transistor Polari
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 25, Коэффициент усиления по току, max 40

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637047

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.032

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

0.94 x 2.9 x 1.3мм

Высота

0.94мм

Длина

2.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.3мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

50 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

MMBTA92LT1-Datasheet , pdf , 79 КБ

MMBTA92LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация