ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SUM110P06-07L-E3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SUM110P06-07L-E3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SUM110P06-07L-E3
Последняя цена
300 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ
МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1636993
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.163
Максимальный непрерывный ток стока
110 А
Максимальное рассеяние мощности
3,75 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
7 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Длина
10.41мм
Типичное время задержки выключения
200 ns
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.41 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 нс
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
230 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
11400 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet SUM110P06-07L-E3 , pdf
, 174 КБ