MJE15035G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 69 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 350 В, Ток коллектора 4 А, Коэффициент усиления по току, min 100

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636992

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

2.641

Base Product Number

MJE15035 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

10ВµA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 2A, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

30MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

350V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Pd - Power Dissipation

Максимальное напряжение коллектор-база

350 В

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Размеры

9.28 x 10.28 x 4.82мм

Pd - рассеивание мощности

50 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

9.28мм

Длина

10.28мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

4 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

350 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

350 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

4 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJE15035

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.82мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

30 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

350 В

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

30 MHz

Число контактов

Тип корпуса

TO-220AB

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet - MJE15034 (NPN), MJE15035 (PNP) , pdf , 73 КБ
Datasheet MJE15035G , pdf , 75 КБ
Datasheet , pdf , 221 КБ

MJE15035G - характеристики, поставщики

Последняя цена 69 руб.

Техническая документация