BC847CDW1T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT363, АБ

Корпус SOT-323-6, Тип проводимости и конфигурация 2 NPN, Рассеиваемая мощность 380 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636987

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.031

Base Product Number

BC847 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

380mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-88/SC70-6/SOT-363

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

2 mm

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Width

1.25 mm

Maximum DC Collector Current

0.1 A

Height

0.9 mm

Pd - Power Dissipation

380 mW

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.2 x 1.35 x 1.1мм

Высота

1.1мм

Длина

2.2мм

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Ширина

1.35мм

Series

BC846C

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

380 мВт

Product Category

Bipolar Transistors - BJT

Configuration

Dual

Packaging

Cut Tape or Reel

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Manufacturer

ON Semiconductor

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

24E

Collector- Base Voltage VCBO

50 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

Continuous Collector Current

0.1 A

DC Collector/Base Gain Hfe Min

420

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Factory Pack Quantity

3000

Mounting Style

SMD/SMT

Product Type

BJTs - Bipolar Transistors

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.000988 oz

Collector-Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Gain Bandwidth Product FT

100 MHz

Техническая документация

Datasheet , pdf , 105 КБ
Datasheet , pdf , 233 КБ
Datasheet SBC846BDW1T1G , pdf , 110 КБ

BC847CDW1T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация