ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI2328DS-T1-E3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI2328DS-T1-E3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI2328DS-T1-E3
Последняя цена
23 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 1.5A; Resistance, Rds On: 0.25ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.15 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1636973
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.04
Максимальный непрерывный ток стока
1.15 A
Максимальное рассеяние мощности
730 мВт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.4мм
Высота
1.02мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
250 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
3.04мм
Типичное время задержки выключения
9 нс
Тип корпуса
TO-126
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.02мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
3,3 нКл при 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
1.15
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
250@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
730
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SOT-23
Supplier Package
SOT-23
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
3.3@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
3.3
Typical Fall Time (ns)
10
Typical Rise Time (ns)
11
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
9
Typical Turn-On Delay Time (ns)
7
Automotive
No
Military
No
Package Height
1.02(Max)
Package Length
3.04(Max)
Package Width
1.4(Max)
Process Technology
TrenchFET