ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI2323DS-T1-E3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI2323DS-T1-E3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI2323DS-T1-E3
Последняя цена
30 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
Корпус TO236, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1636949
Технические параметры
Вес, г
0.038
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
3.7A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
750mW
Rds On - Drain-Source Resistance
39mО© @ 4.7A,4.5V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20V
Vgs - Gate-Source Voltage
1V @ 250uA
Id - непрерывный ток утечки:
4.7 A
Pd - рассеивание мощности:
1.25 W
Qg - заряд затвора:
19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
39 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
400 mV
Вид монтажа:
SMD/SMT
Время нарастания:
43 ns
Время спада:
48 ns
Другие названия товара №:
SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-E3
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Коммерческое обозначение:
TrenchFET
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Подкатегория:
MOSFETs
Полярность транзистора:
P-Channel
Производитель:
Vishay
Размер фабричной упаковки:
3000
Серия:
SI2
Технология:
Si
Тип продукта:
MOSFET
Тип транзистора:
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения:
71 ns
Типичное время задержки при включении:
25 ns
Торговая марка:
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок:
SOT-23-3
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
16 S
Высота:
1.45 mm
Длина:
2.9 mm
Ширина:
1.6 mm
Техническая документация
si2323dds Datasheet , pdf
, 216 КБ
Datasheet SI2323DS-T1-E3 , pdf
, 196 КБ
Datasheet SI2323DS-T1-E3 , pdf
, 197 КБ