MMBT5401LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 50, Коэффициент усиления по току, max 240

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636822

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.032

Base Product Number

MMBT5401 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

150V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Minimum DC Current Gain

50@50mA@5V|60@10mA@5V|50@1mA@5V

Максимальное напряжение коллектор-база

160 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

0.94 x 2.9 x 1.3мм

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94мм

Длина

2.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

160 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

150 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMBT5401L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3мм

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

160

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

150

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1@5mA@50mA|1@1mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.2@1mA@10mA|0.5@5mA@50mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.5

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Maximum Transition Frequency (MHz)

300

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

150 В

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

300 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Supplier Temperature Grade

Automotive

Техническая документация

MMBT5401LT1G datasheet , pdf , 95 КБ
Datasheet , pdf , 151 КБ
Datasheet , pdf , 85 КБ

MMBT5401LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация