ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFBC20PBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRFBC20PBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFBC20PBF
Последняя цена
49 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ
MOSFET Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Channel Drain Source Voltage, Vds 600V Continuous Drain Current, Id 2.2A On Resistance, Rds(on) 4.4ohm Rds(on) Test Voltage, Vgs 10V Package/Case TO-220AB
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.4 Ом
Информация
Производитель
International Rectifier
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1636794
Технические параметры
Вес, г
2.61
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
2.2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
50W
Rds On - Drain-Source Resistance
4.4О© @ 1.3A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet IRFBC20PBF , pdf
, 1521 КБ
