BF720T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 11 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

Bipolar Transistor; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 300V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat): 50V; Power Dissipation, Pd: 1.5W; DC Current Gain Min (hfe): 50; Package/Case: SOT-223
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 50

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636759

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.193

Base Product Number

BF720 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

10nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

60MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.5W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 30mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

300V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Pd - Power Dissipation

1.5W

Максимальное напряжение коллектор-база

300 V dc

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65мм

Длина

6.7мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

300 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

300 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BF720

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.7мм

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

60 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В пост. тока

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

35 МГц

Число контактов

3 + Tab

Тип корпуса

SOT-223

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 183 КБ
Datasheet BF720T1G , pdf , 103 КБ
Datasheet BF720T1G , pdf , 107 КБ

BF720T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 11 руб.

Техническая документация