FGB20N60SFD_F085, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1, АБ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A FSP IGBT

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1636755

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Конфигурация

Single

Вес, г

1.63

Pd - рассеивание мощности

208 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.4 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

40 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

20 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

800

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

400 nA

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

D2PAK-3

Другие названия товара №

FGB20N60SFD_F085

Серия

FGB20N60S_F085

Технология

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet FGB20N60SFD-F085 , pdf , 715 КБ
Datasheet FGB20N60SFD-F085 , pdf , 759 КБ

FGB20N60SFD_F085 - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация