MJD31CG, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 75, корпус: TO252, АБ

TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo: 100V; Current, Ic Continuous a Max: 3A; Voltage, Vce Sat Max: 1.2V; Power Dissipation: 1.56W; Hfe, Min: 10; ft, Typ: 3MHz; Case Style: D-PAK; Termination Type: SMD; Application Code: PGP; Current, Ic Max: 3A; Current, Ic hFE: 1A; Depth, External: 10.28mm; Length / Height, External: 2.38mm; Marking, SMD: MJD31C; Power, Ptot: 15W; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vcbo: 100V; Width, External: 6.73mm; ft, Min: 3MHz
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 10, Коэффициент усиления по току, max 50

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636727

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.607

Base Product Number

MJD31 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

3MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power - Max

1.56W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

DPAK

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

100V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Length

6.73mm

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum DC Collector Current

3 A

Pin Count

Dimensions

2.38 x 6.73 x 6.22mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Pd - Power Dissipation

1.56W

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Pd - рассеивание мощности

1.56 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

3 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJD31C

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-252-3

Ширина

6.22мм

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

3 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,2 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,56 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.2 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

3 MHz

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 96 КБ
Datasheet , pdf , 282 КБ
MJD31-D , pdf , 280 КБ

MJD31CG - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация