ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD45H11G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD45H11G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD45H11G
Последняя цена
36 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 75, корпус: TO252, АБ
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 60
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1636644
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.639
Base Product Number
MJD45 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
90MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max
1.75W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Transistor Configuration
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Высота
2.38мм
Длина
6.73мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
6.22мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,75 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
90 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
-40
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 92 КБ
Datasheet , pdf
, 306 КБ
