MJD45H11T4G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 31 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 60

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636632

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.452

Transistor Type

PNP

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

1.75W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

6.22мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,75 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

90 MHz

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

-40

Техническая документация

Datasheet , pdf , 127 КБ
MJD45H11T4 datasheet , pdf , 93 КБ

MJD45H11T4G - характеристики, поставщики

Последняя цена 31 руб.

Техническая документация