ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDS4935A - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDS4935A
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDS4935A
Последняя цена
48 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOIC8, АБ
Корпус SO-8
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1636489
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.22
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
2мм
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Id - непрерывный ток утечки
7 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
25 ns
Длина
5мм
Другие названия товара №
FDS4935A_NL
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Коммерческое обозначение
PowerTrench
Конфигурация
Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
19 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
PowerTrench
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
48 нс
Типичное время задержки при включении
13 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
SO-8
Тип
MOSFET
Тип корпуса
SOIC
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 5 V
Типичная входная емкость при Vds
1233 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
FDS4935A , pdf
, 231 КБ
Datasheet FDS4935A , pdf
, 231 КБ