MJD44H11T4G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 27 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Bipolar Power Transistor, NPN, 8 A, 80 V, 20 Watt
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 60

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636474

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.46

Transistor Configuration

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Pd - рассеивание мощности

20 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

8 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

5 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

8 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

MJD44H11

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

TO-252-3

Ширина

6.22мм

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

85 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,75 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

85 MHz

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

-40

Hfe при напряжении к-э, В

Hfe при токе коллектора, А

Диапазон рабочих температур, оС

-55…150

Статический коэффициент передачи тока hfe мин

Техническая документация

Datasheet , pdf , 97 КБ
Datasheet MJD44H11T4G , pdf , 45 КБ

MJD44H11T4G - характеристики, поставщики

Последняя цена 27 руб.

Техническая документация