BSS123LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Small Signal MOSFET 100V 170mA 6 Ohm Single N-Channel SOT-23
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 170 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 6 Ом

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1636472

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.033

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3мм

Высота

0.94мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSS123 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

170mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

225mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Длина

2.9мм

Типичное время задержки выключения

40 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.94мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичная входная емкость при Vds

20 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

170mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

225mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.8V @ 1mA

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

1.6

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55...+150

Техническая документация

Datasheet , pdf , 179 КБ
Datasheet , pdf , 94 КБ
Datasheet , pdf , 110 КБ

BSS123LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация