ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDS9431A - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDS9431A
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDS9431A
Последняя цена
23 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: so8, АБ
MOSFET, P, SMD, 8-SOIC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -20V; Current, Id Cont: -3.5A; Resistance, Rds On: 0.13ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SOIC; Termination Type: SMD
Корпус SO-8
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1636459
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.22
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOIC
Ширина
3.9 mm
Высота
1.75 mm
Transistor Material
Si
Length
5mm
Brand
ON Semiconductor
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Mounting Type
Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки
3.5 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
20 ns
Время спада
21 ns
Длина
4.9 mm
Другие названия товара №
FDS9431A_NL
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Quad Drain Triple Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
6.5 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
FDS9431A
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
31 ns
Типичное время задержки при включении
6.5 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
SO-8
Тип
MOSFET
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4mm
Height
1.5mm
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Typical Turn-On Delay Time
6.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time
31 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
405 pF @ 10 V
Техническая документация
Datasheet FDS9431A , pdf
, 190 КБ
