MJD42CT4G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Bipolar Transistor; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 100V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat): 15V; Power Dissipation, Pd: 20W; DC Current Gain Min (hfe): 15; Package/Case: D-PAK
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 6 А, Коэффициент усиления по току, min 15, Коэффициент усиления по току, max 75

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636438

Технические параметры

Вес, г

0.465

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Type

PNP

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.73mm

Maximum Collector Base Voltage

100 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

100 В

Package Type

DPAK (TO-252)

Maximum Power Dissipation

20 Вт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

6.22mm

Maximum DC Collector Current

6 A

Height

2.38mm

Pin Count

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

Pd - рассеивание мощности:

20 W

Вид монтажа:

SMD/SMT

Категория продукта:

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Максимальный постоянный ток коллектора:

6 A

Напряжение коллектор-база (VCBO):

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

100 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:

1.5 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

5 V

Непрерывный коллекторный ток:

6 A

Подкатегория:

Transistors

Полярность транзистора:

PNP

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):

3 MHz

Производитель:

ON Semiconductor

Размер фабричной упаковки:

2500

Технология:

Тип продукта:

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка:

ON Semiconductor

Упаковка / блок:

TO-252-3

Высота:

2.38 mm

Длина:

6.73 mm

Минимальная рабочая температура:

- 65 C

Ширина:

6.22 mm

Серия:

MJD42C

Техническая документация

Datasheet , pdf , 132 КБ
Datasheet MJD42CT4G , pdf , 176 КБ

MJD42CT4G - характеристики, поставщики

Последняя цена 26 руб.

Техническая документация