FMMT493TA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 1 А

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636411

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.031

Base Product Number

FMMT493 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

150MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

500mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

100V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Pd - Power Dissipation

500mW

Максимальное напряжение коллектор-база

120 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

NPN

Размеры

1.1 x 3 x 1.4мм

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

FMMT493

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

150 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.15 V

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet FMMT493 , pdf , 380 КБ
Datasheet , pdf , 555 КБ
Datasheet , pdf , 376 КБ

FMMT493TA - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация