MJD112G - характеристики, поставщики

MJD112G

Последняя цена 30 руб.

MJD112G

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 75, корпус: TO252, АБ

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636382

Технические параметры

Вес, г

0.613

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package / Case

TO-252-3 (DPAK)

Transistor Type

NPN

Transistor Polarity

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Maximum Collector Base Voltage

100 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

100 В

Package Type

DPAK (TO-252)

Maximum Power Dissipation

20 Вт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

6.22mm

Maximum DC Collector Current

2 A

Height

2.38mm

Pin Count

2

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

1000

Pd - Power Dissipation

20 W

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип транзистора

NPN

Высота

2.38мм

Series

MJD112

EU RoHS

compliant with exemption

ECCN (US)

ear99

Part Status

active

Type

npn

Product Category

Darlington Transistors

Configuration

single

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

100

Maximum Emitter Base Voltage (V)

5

Operating Junction Temperature (°C)

-65 to 150

Maximum Base Current (A)

0.05

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

4 40ma 4a

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

2 8ma 2a|3 40ma 4a

Maximum Power Dissipation (mW)

1750

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

tube

Standard Package Name

to-252

Supplier Package

dpak

Mounting

surface mount

PCB changed

2

Tab

tab

Lead Shape

gull-wing

Число контактов

3

Manufacturer

ON Semiconductor

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 А

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

2

Maximum Collector Cut-Off Current (uA)

20

Typical Current Gain Bandwidth (MHz)

25(min)

Minimum DC Current Gain Range

<500|500 to 3600

Collector- Base Voltage VCBO

100 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Continuous Collector Current

2 A

DC Collector/Base Gain Hfe Min

1000

DC Current Gain HFE Max

12000

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Factory Pack Quantity

75

Mounting Style

SMD/SMT

Product Type

Darlington Transistors

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.020812 oz

Maximum DC Current Gain

12000 2a 3v

Typical Transition Frequency (MHz)

25(min)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 155 КБ
Datasheet MJD112G , pdf , 209 КБ