FDN337N, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 30V; Continuous Drain Current, Id: 2.2A; On Resistance, Rds(on): 0.065ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 4.5V; Package/Case: SuperSOT-3
Корпус TO236

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1636338

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.036

Максимальный непрерывный ток стока

2,2 А

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

0.94мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

2.92мм

Типичное время задержки выключения

17 ns

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.92 x 1.4 x 0.94мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

4 ns

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

300 pF @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Id - непрерывный ток утечки:

2.2 A

Pd - рассеивание мощности:

500 mW

Qg - заряд затвора:

9 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

65 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 8 V, + 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

400 mV

Вид монтажа:

SMD/SMT

Время нарастания:

10 ns

Время спада:

10 ns

Другие названия товара №:

FDN337N_NL

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel

Производитель:

ON Semiconductor

Размер фабричной упаковки:

3000

Серия:

FDN337N

Технология:

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения:

17 ns

Типичное время задержки при включении:

4 ns

Торговая марка:

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок:

SSOT-3

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

13 S

Высота:

1.12 mm

Длина:

2.9 mm

Ширина:

1.4 mm

Тип:

FET

Продукт:

MOSFET Small Signal

Техническая документация

FDN337N_Datasheet , pdf , 277 КБ
Datasheet FDN337N , pdf , 296 КБ
Datasheet , pdf , 377 КБ

FDN337N - характеристики, поставщики

Последняя цена 9 руб.

Техническая документация