ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC847C-7-F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BC847C-7-F
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC847C-7-F
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: sot23, АБ
NPN TRANS 45V 0.1A SOT23
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1636321
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.034
Base Product Number
BC847 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
300MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Transistor Configuration
Single
Brand
DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.4mm
Maximum DC Collector Current
100 mA
Height
1.1mm
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Minimum DC Current Gain
420
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
300mW
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
3.05 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
420 at 2 mA, 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC847C
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Технология
Si
Количество элементов на ИС
1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 mV
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 297 КБ
Datasheet , pdf
, 1163 КБ
BC846...BC848 , pdf
, 300 КБ