MMBT2907ALT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 50, Коэффициент усиления по току, max 300

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636309

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.032

Transistor Type

PNP

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

600mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

300mW

Максимальное напряжение коллектор-база

-60 V dc

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Высота

1.01мм

Длина

3.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.4мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,6 В пост. тока

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт, 300 мВт, 350 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

1,2 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V dc

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,6 В пост. тока

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Материал транзистора

Кремний

Техническая документация

MMBT2907ALT1 datasheet , pdf , 122 КБ
Datasheet , pdf , 83 КБ

MMBT2907ALT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация