ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF540SPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRF540SPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF540SPBF
Последняя цена
72 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
International Rectifier
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1636276
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.477
Максимальный непрерывный ток стока
28 А
Максимальное рассеяние мощности
3,7 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
77 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.67мм
Типичное время задержки выключения
53 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
72 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1700 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet IRF540SPBF , pdf
, 170 КБ