BCV26, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 30V; Current, Ic Continuous a Max: 1200mA; Voltage, Vce Sat Max: 1V; Power Dissipation: 350mW; Hfe, Min: 20000; ft, Typ: 220MHz; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD; Current, Ic Max: 1200mA; Current, Ic hFE: 100mA; Device Marking: BCV26; Marking, SMD: FD; Pins, No. of: 3; Power, Ptot: 350mW; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vcbo: 40V
Корпус TO236

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636266

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.039

Base Product Number

BCV26 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

1.2A

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

220MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

350mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

PNP - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100ВµA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

1.2A

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Pd - Power Dissipation

350mW

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.93мм

Длина

2.92мм

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

4000

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1.2 A

Максимальный ток отсечки коллектора

0.1 uA

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

40 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

10 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BCV26

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-23

Ширина

1.3мм

Другие названия товара №

BCV26_NL

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

4000

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,2 А

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Техническая документация

BCV26 , pdf , 216 КБ
Datasheet BCV26 , pdf , 334 КБ
Datasheet BCV26 , pdf , 332 КБ
Datasheet , pdf , 331 КБ

BCV26 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация