ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PZT2222AT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
PZT2222AT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PZT2222AT1G
Последняя цена
8 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1636265
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.193
Base Product Number
PZT2222 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
600mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
300MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
1.5W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
50@1mA@10V|35@0.1mA@10V|70@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@1V|40@500mA@10V
Максимальное напряжение коллектор-база
75 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.57 x 6.5 x 3.5мм
Высота
1.57мм
Длина
6.5мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.5мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
75
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
40
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
2@50mA@500mA|1.2@15mA@150mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.6
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
10
Maximum Power Dissipation (mW)
1500
Maximum Transition Frequency (MHz)
300(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT-223
Supplier Package
SOT-223
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.57
Package Length
6.5
Package Width
3.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
35
Supplier Temperature Grade
Automotive
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 132 КБ
