ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PZTA42T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
PZTA42T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PZTA42T1G
Последняя цена
7 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ
NPN Bipolar Small Signal Transistor
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 40
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1636262
Технические параметры
Вес, г
0.194
Base Product Number
PZTA42 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 30mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
50MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
1.5W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,5 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
50 МГц
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
300 В
Brand
ON Semiconductor
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
1,5 Вт
Maximum DC Collector Current
50 мА
Pin Count
4
Dimensions
1.57 x 6.5 x 3.5мм
Maximum Emitter Base Voltage
6 В
Minimum DC Current Gain
40@10mA@10V|40@30mA@10V|25@1mA@10V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Pd - Power Dissipation
1.5W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип транзистора
NPN
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
300
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
300
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Operating Junction Temperature (°C)
-65 to 150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9@2mA@20mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.5@2mA@20mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
1500
Maximum Transition Frequency (MHz)
50(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-223
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.57
Package Length
6.5
Package Width
3.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 144 КБ
Datasheet , pdf
, 66 КБ