MMBT5551LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636252

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.032

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-180 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

0.94 x 2.9 x 1.3мм

Высота

0.94мм

Длина

2.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.3мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,2 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

160 В

Максимальный пост. ток коллектора

600 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 177 КБ

MMBT5551LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация