MMBT3904LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 200 мА, Коэффициент усиления по току, min 30, Коэффициент усиления по току, max 300

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636242

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.03

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

0.94 x 2.9 x 1.3мм

Высота

0.94мм

Длина

2.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.3мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 V

Максимальный пост. ток коллектора

200 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-0,95 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 138 КБ
MMBT3904LT1 , pdf , 105 КБ

MMBT3904LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация