FDS6680A, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 32 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: SO8150127, АБ

N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1636191

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.243

Максимальный непрерывный ток стока

12,5 А

Максимальное рассеяние мощности

2.5 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

2мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

10 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5мм

Серия

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

27 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

16 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

1620 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

12.5A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Техническая документация

FDS6680A_D-2313037 , pdf , 257 КБ
Datasheet , pdf , 230 КБ

FDS6680A - характеристики, поставщики

Последняя цена 32 руб.

Техническая документация