BSS123, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1636169

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.034

Максимальный непрерывный ток стока

170 mA

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3мм

Высота

0.93мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSS123 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

170mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

73pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

170 mA

Pd - рассеивание мощности

360 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

9 ns

Время спада

9 ns

Длина

2.92мм

Другие названия товара №

BSS123_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.8 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

PowerTrench

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

17 ns

Типичное время задержки при включении

1.7 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-23-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

FET

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

1.7 ns

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

73 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

BSS123 , pdf , 146 КБ
Datasheet BSS123 , pdf , 197 КБ
Datasheet BSS123 , pdf , 261 КБ
Datasheet , pdf , 245 КБ

BSS123 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация