BCW32LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 32 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636155

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.035

Base Product Number

BCW32 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

225mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

32V

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Pd - Power Dissipation

225mW

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

32 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

32 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BCW32L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Техническая документация

Datasheet BCW32LT1G , pdf , 189 КБ
Datasheet BCW32LT1G , pdf , 247 КБ
Datasheet BCW32LT1G , pdf , 250 КБ

BCW32LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация