BC858CLT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 270, Коэффициент усиления по току, max 800

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636150

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.03

Base Product Number

BC858 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.65 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

3.04мм

Maximum Collector Base Voltage

-30 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

-30 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

300 мВт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

100 (Continuous) mA, 200 (Peak) mA

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Maximum Emitter Base Voltage

-30 V

Minimum DC Current Gain

420

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.01mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC858CL

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.65 V

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-0.9 V

Automotive Standard

AEC-Q101

Transistor Material

Кремний

Техническая документация

BC856-860 , pdf , 63 КБ
Datasheet , pdf , 216 КБ
Datasheet , pdf , 210 КБ

BC858CLT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация