ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N4403BU - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N4403BU
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N4403BU
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO92, АБ
Transistor; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 40V; Continuous Collector Current, Ic: 600mA; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat): 0.4V; Power Dissipation, Pd: 625mW
Корпус TO-92-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1636131
Технические параметры
Вес, г
0.209
Base Product Number
2N4403 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
600mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
200MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power - Max
625mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.40 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
5.2мм
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
40 В
Package Type
TO-92
Maximum Power Dissipation
625 mW
Minimum Operating Temperature
-50 °C
Width
4.19mm
Maximum DC Collector Current
600 mA
Height
5.33mm
Pin Count
3
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Minimum DC Current Gain
20
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Pd - Power Dissipation
625mW
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-0.95 V
Техническая документация
2N4403 / MMBT4403 PNP General Purpose Amplifier Datasheet , pdf
, 70 КБ
Datasheet , pdf
, 392 КБ