ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSR14 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BSR14
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BSR14
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
Биполярный N-P-N транзистор общего назначения. Напряжение эмиттер-коллектор 40 В; ток коллектора 800 мА; Ft 300 МГц; мощность рассеивания 350 мВт; h fe 35…300; корпус SOT-23
Корпус TO236
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1636101
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.033
Base Product Number
BSR14 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
800mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
300MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
350mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
onsemi
Maximum DC Collector Current
800mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Pd - Power Dissipation
350mW
Максимальное напряжение коллектор-база
75 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
0.93 x 2.92 x 1.3мм
Pd - рассеивание мощности
350 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.93мм
Длина
2.92мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.8 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
0.8 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BSR14
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3мм
Другие названия товара №
BSR14_NL
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
300
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
35
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
bsr14 , pdf
, 48 КБ
Datasheet BSR14 , pdf
, 222 КБ
Datasheet BSR14 , pdf
, 221 КБ
Datasheet , pdf
, 219 КБ
Datasheet , pdf
, 101 КБ