FDV303N, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

MOSFET, N, DIGITAL, SOT-23; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 25V; Current, Id Cont: 0.68A; Resistance, Rds On: 0.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 4.5V; Voltage, Vgs th Typ: 0.8V; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD; Current, Idm Pulse: 2A; Depth, External: 2.5mm; Length / Height, External: 1.12mm; Marking, SMD: 303; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 0.35W; Power, Pd: 0.35W; Temperature, Current: 25°C; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, ESD Breakdown: 6kV; Voltage, Rds Measurement: 2.7V; Voltage, Vds Max: 25V; Voltage, Vgs th Max: 1.5V; Width, External: 3.05mm; Width, Tape: 8mm
Корпус TO236

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636095

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.036

Base Product Number

FDV30 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23

Transistor Configuration

Одинарный

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

1 N-Channel

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.93мм

Длина

2.92мм

Категория продукта

МОП-транзистор

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

FDV303N

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3

Другие названия товара №

FDV303N_NL

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Производитель

ON Semiconductor

Канальный режим

Enhancement

Материал транзистора

Кремний

Тип

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Время нарастания

8.5 ns

Время спада

8.5 ns

Продукт

MOSFET Small Signal

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

680 mA

Vds - напряжение пробоя сток-исток

25 V

Максимальный непрерывный ток стока

680 mA

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Категория

Мощный МОП-транзистор

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

50 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

450 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

680mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

FET Type

N-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.45 S

Типичное время задержки выключения

17 нс

Типичное время задержки при включении

3 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Типичное время задержки включения

3 нс

Типичный заряд затвора при Vgs

1.64 nC @ 4.5 V

Техническая документация

FDV303N , pdf , 66 КБ
Datasheet FDV303N , pdf , 264 КБ
Datasheet , pdf , 147 КБ
Datasheet FDV303N , pdf , 242 КБ

FDV303N - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация