MMUN2111LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Type: Digital Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 50V; Current, Ic Continuous a Max: 100mA; Voltage, Vce Sat Max: -0.25V; Power Dissipation: 246mW; Hfe, Min: 35; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD; Current, Ic Max: 100mA; Current, Ic hFE: 5mA; Marking, SMD: A6A; Pin Configuration: 1; Pins, No. of: 3; Power, Ptot: 0.2W; Resistance, R1: 10kohm; Resistance, R2: 10kohm; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vcbo: 50V
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 230 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 60

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1636077

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.03

Base Product Number

MMUN2111 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

246mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

338 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Maximum DC Collector Current

100 (Continuous) mA

Height

1.01mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

246mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Pd - рассеивание мощности

246 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMUN2111L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

338 мВт

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Automotive Standard

AEC-Q101

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

10 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Resistor - Base (R1)

10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 180 КБ
Datasheet , pdf , 375 КБ
MUN2111, MMUN2111L, MUN5111, DTA114EE, DTA114EM3, NSBA114EF3_Datasheet , pdf , 145 КБ
Datasheet , pdf , 114 КБ

MMUN2111LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация