ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N7000TA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N7000TA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2N7000TA
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO92, АБ
Корпус TO-92-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1636067
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.299
Максимальный непрерывный ток стока
200 mA
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.19мм
Высота
5.33мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
2N7000 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
200mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-92-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки
200 mA
Pd - рассеивание мощности
400 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
10 ns
Время спада
10 ns
Длина
5.2мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
0.1 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2000
Серия
2N7000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
10 нс
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
TO-92-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Тип
MOSFET
Упаковка
Ammo Pack
Тип корпуса
TO-92
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичная входная емкость при Vds
30 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
200mA(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
400mW
Rds On - Drain-Source Resistance
5О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 1mA
Техническая документация
2N7000TA datasheet , pdf
, 116 КБ
Datasheet , pdf
, 285 КБ
Datasheet 2N7000TA , pdf
, 450 КБ