FDC2512 - характеристики, поставщики

FDC2512

Последняя цена 15 руб.

FDC2512

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT236, АБ

Корпус SOT236

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1636049

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.042

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 А

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.7мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

875 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Id - непрерывный ток утечки

1.4 A

Pd - рассеивание мощности

1.6 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

425 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.5 ns

Время спада

3.5 ns

Длина

3мм

Другие названия товара №

FDC2512_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single Quad Drain

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

PowerTrench

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

22 ns

Типичное время задержки при включении

6.5 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SSOT-6

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

MOSFET

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3 x 1.7 x 1мм

Материал транзистора

SI

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6,5 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Число контактов

6

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

8 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

344 пФ при 75 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.4A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.6W

Rds On - Drain-Source Resistance

425mО© @ 1.4A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

150V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDC2512 , pdf , 576 КБ
Datasheet , pdf , 579 КБ