C2M0080120D, Cree - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1950 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed
Wolfspeed Z-Fet ™, C2M ™, amp; Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния C3M ™. Линейка SiC MOSFET второго поколения от Cree, энергетического подразделения Wolfspeed, которые обеспечивают лучшую в отрасли плотность мощности и эффективность переключения. Эти устройства с низкой емкостью допускают более высокие частоты переключения и снижают требования к охлаждению, повышая общую эффективность работы системы.

Информация

Производитель

Cree

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1635816

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

7.967

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное рассеяние мощности

208 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.21мм

Высота

21.1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

208 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

1200 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

16.13мм

Типичное время задержки выключения

23,2 нс

Тип корпуса

TO-247

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1мм

Материал транзистора

SiC

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 ns

Производитель

Wolfspeed

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

47,2 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

950 пФ при 1000 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +25 В

C2M0080120D - характеристики, поставщики

Последняя цена 1950 руб.