2SC5707-E, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 52 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 500, корпус: TO251, АБ

TL/Bip Transistor 50V, 8A NPN TP
Корпус TO251, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 560

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1635726

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.318

Base Product Number

2SC5707 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

330MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 175mA, 3.5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 МГц

Brand

ON Semiconductor

Package Type

Maximum DC Collector Current

8 A

Pin Count

3 + Tab

Maximum Emitter Base Voltage

6 В

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.5 x 2.3 x 5.5мм

Pd - рассеивание мощности

15 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

11 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

8 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

500

Серия

2SC5707

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-251-3

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

330 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

240 мВ

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

160 mV, 110 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Число контактов

3 + Tab

Тип корпуса

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,2 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 431 КБ
Datasheet , pdf , 440 КБ

2SC5707-E - характеристики, поставщики

Последняя цена 52 руб.

Техническая документация